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前提条件
図1に示すエミッタ接地トランジスタ増幅回路について、次の(a)及び(b)の問に答えよ。
ただし、 IBI_BIB [µA]、 ICI_CIC [mA] はそれぞれベースとコレクタの直流電流であり、 ibi_bib [µA]、 ici_cic [mA] はそれぞれの信号分である。また、 VBEV_{BE}VBE [V]、 VCEV_{CE}VCE [V] はそれぞれベース−エミッタ間とコレクタ−エミッタ間の直流電圧であり、 vbev_{be}vbe [V]、 vcev_{ce}vce [V] はそれぞれの信号分である。さらに、 viv_ivi [V]、 vov_ovo [V] はそれぞれ信号の入力電圧と出力電圧、 VCCV_{CC}VCC [V] はバイアス電源の直流電圧、 R1R_1R1 [kΩ] と R2R_2R2 [kΩ] は抵抗、 C1C_1C1 [F]、 C2C_2C2 [F] はコンデンサである。なお、 R2=1R_2=1R2=1 kΩ であり、使用する信号周波数において C1C_1C1 、 C2C_2C2 のインピーダンスは無視できるほど十分小さいものとする。
(a) 図2はトランジスタの出力特性である。トランジスタの動作点を VCE=12VCC=6V_{CE} = \dfrac{1}{2}V_{CC} = 6VCE=21VCC=6 V に選ぶとき、動作点でのベース電流 IBI_BIB の値 [µA] として、最も近いものを次の(1)〜(5)のうちから一つ選べ。