理論問18(b) 過去問解説

Question

次の文章 a、b 及び c は、それぞれのバイアス回路における周囲温度の変化と電流 $I_{C}$ との関係について述べたものである。

ただし、 $h_{FE}$ は直流電流増幅率を表す。

a 温度上昇により $h_{FE}$ が増加すると $I_{C}$ が増加し、バイアス安定度が悪いバイアス回路の図はアである。

b $h_{FE}$ の変化により $I_{C}$ が増加しようとすると、 $V_{B}$ はほぼ一定であるから $V_{BE}$ が減少するので、 $I_{C}$ や $I_{E}$ の増加を妨げるように働く。 $I_{C}$ の変化の割合が比較的低く、バイアス安定度が良いものの、電力損失が大きいバイアス回路の図はイである。

c $h_{FE}$ の変化により $I_{C}$ が増加しようとすると、 $R_{C}$ の電圧降下も増加することでコレクタ・エミッタ間の電圧 $V_{CE}$ が低下する。これにより $R$ の電圧が減少して $I_{B}$ が減少するので、 $I_{C}$ の増加が抑えられるバイアス回路の図はウである。

上記の記述中の空白箇所ア～ウに当てはまる組合せとして、正しいものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

	ア	イ	ウ
(1)	$図 1$	$図 2$	$図 3$
(2)	$図 2$	$図 3$	$図 1$
(3)	$図 3$	$図 1$	$図 2$
(4)	$図 1$	$図 3$	$図 2$
(5)	$図 2$	$図 1$	$図 3$

理論 問18(b) 過去問解説

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