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第三種電気主任技術者 2020年度機械問10 過去問解説 | NeuroQuest

機械問10 過去問解説

正解0

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正解0

出典：⁠令和2年度第三種電気主任技術者試験　問 10

(1)

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(4)

(5)

パワー半導体スイッチングデバイスとしては近年、主に IGBT とパワー MOSFET が用いられている。両者を比較した記述として、誤っているものを次の(1)〜(5)のうちから一つ選べ。

IGBT は電圧駆動形であり、ゲート・エミッタ間の電圧によってオン・オフを制御する。

パワー MOSFET は電流駆動形であり、キャリア蓄積効果があることからスイッチング損失が大きい。

パワー MOSFET はユニポーラデバイスであり、バイポーラ形のデバイスと比べてオン状態の抵抗が高い。

IGBT はバイポーラトランジスタにパワー MOSFET の特徴を組み合わせることにより、スイッチング特性を改善している。

パワー半導体スイッチングデバイスとしては近年、主に IGBT とパワー MOSFET が用いられている。両者を比較した記述として、誤っているものを次の(1)〜(5)のうちから一つ選べ。